عنوان فارسی مقاله: تقویت کننده تفاضلی (دیفرانسیلی) تلفیقی تابش میدانی خلا نانو الماس
چکیده
توسعه یک تقویت کننده تفاضلی خلا جدید با استفاده از ترانزیستور های تابش میدانی خلا نانوالماس با پیکر بندی عمودی (ND-VFETs) بر روی یک تک تراشه در این مقاله بررسی شده است.یک جفت مشابه از ND-VFET با خصوصیات ترانزیستور تابش میدانی با استفاده از فرایند میکروفابریکیشن یا ریزتولید کنترل شده ساخته شد که در آن از یک روش امیتر گیت خود تنظیم انتقال قالب همراه با رسوب ND به قالب های ریز الگو در لایه فعال سوبسترای سیلیکون بر روی عایق و سپس پارتیشن بندی گیت به آرایه تقویت کننده تفاضلی استفاده شد. ND-VFETمدولاسیون یا تنظیم کنترل شده گیت تابش را با مناطق خطی و اشباع نشان داد. خصوصیات تقویت سیگنال امپلی فایر های تفاضلی ND-VFET ارایه شده است. نسبت ردٌ مد-مشترک[سي ام آر آر ] یا نسبت مقدار مؤثر ولتاژ تداخلي مد-مشترک (CMRR) به میزان ۵۴٫۶ dB برای تقویت کننده تفاضلی اندازه گیری شد. تغییرات عملکرد CMRR با رسانایی متقابل بررسی شده و نتایج با تحلیل مدل مدار معادل هم خوانی داشت. رسیدن به این جزء اساسی مدار، که متشکل از یک تقویت کننده تفاضلی است نشان دهنده امکان استفاده از مدار های تلفیقی خلا برای کاربرد های عملی از جمله ابزار های الکترونیکی فضایی متحمل به دما و تابش بالا است(تقویت کننده تفاضلی (دیفرانسیلی) تلفیقی تابش).
دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی
- لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
- همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
- ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.