light box
امتیاز 3.25 طراحی دستگاه دوگیتی دو کاناله در AlGaN/GaN MIS-HEMTs">

نوع فایل : word
تعداد صفحات : 8
تعداد کلمات : 3700
مجله : IETE Journal of Research
انتشار : 2018
دسته بندی :
برچسب ها : ، ، ، ، ، ، ، ، ،

عنوان فارسی مقاله: فرونشانی اثرات کانال کوتاه با طراحی دستگاه دوگیتی دو کاناله در AlGaN/GaN MIS-HEMTs معمولاً بسته

چکیده

 در این مطالعه، ما شبیه سازی های عددی نیمه رسانای عایق فلز AlGaN/GaN معمولاً بسته یا MIS-HEMTs را انجام دادیم. یک طرح دستگاه دو گیتی دو کاناله پیشنهاد شده و با استفاده از مدل‌های TCAD واسنجی (کالیبره شده) تجزیه تحلیل شد. شکل هندسی دو گیتی، کنترل پیشرفته گیت را نسبت به دو کانال فراهم کرده و به این ترتیب، موجب فرونشانی و توقف اثرات کانال کوتاه می‌شود(شبیه سازیهای عددی نیمه رسانای عایق). دستگاه پیشنهادی، شیب زیرآستانه ۷۲ میلی ولت بر دهه را نشان می‌دهد که یک بهبود ۵۰ درصدی نسبت به دستگاه تک گیتی تک کاناله با طول گیت ۳ میکرومتر است. هر دو ساختار تک گیتی تک کاناله و دو گیتی دو کاناله از نظر توانایی خنثی سازی اثرات کانال کوتاه در دستگاه‌های MIS-HEMT مقایسه شدند. نتایج نشان داد که طرح دو گیتی نسبت به دستگاه تک گیتی تک کاناله با بهبود ۸۰ درصد در کاهش صد القایی درین در طول گیت زیرمیکرومتر، عملکرد برتری دارد(شبیه سازیهای عددی نیمه رسانای عایق).

 

کلیه مقالات مرتبط را میتوانید در بخش ترجمه مقالات برق ملاحظه کنید.

Title: Suppression of Short-channel Effects by Double gate Double-channel Device Design in Normally-off AlGaN/GaN MIS-HEMTs

Abstract: 

In this work, we have performed numerical simulations of normally-off AlGaN/GaN recessed Metal–Insulator-Semiconductor or MIS-HEMTs. A double-gate double-channel device design is proposed and analyzed using calibrated TCAD models. The dual-gate geometry is shown to provide an enhanced gate control over the double-channel, thereby suppressing the short-channel effects. The proposed device exhibits 72-mV/decade subthreshold slope, which is 50% improvement compared to the single-gate single-channel device with 3 µm gate length. Both the double-gate double-channel and single-gate single-channel structures are compared for their ability to counter short-channel effects in aggressively scaled MIS-HEMT devices. It is shown that, double-gate design is superior to single-gate single-channel device with 80% improvement in drain-induced barrier lowering at sub-micrometer gate lengths.

ثبت دیدگاه

    • دیدگاه های ارسال شده توسط شما، پس از تایید توسط تیم مدیریت در وب منتشر خواهد شد.
    • پیام هایی که حاوی تهمت یا افترا باشد منتشر نخواهد شد.
    • پیام هایی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط باشد منتشر نخواهد شد.

برای ارسال دیدگاه شما باید وارد سایت شوید.

محصولات مشابه
قیمت‌های مسکن و ریسک اعتبار: شواهدی از ایالات متحده
خـریـد محـصـول
نقش یادگیری مشارکتی در بهبود مهارت‌های ارتباطات کلامی دانشجویان یادگیرنده EFL
خـریـد محـصـول
شکستن مقاومت میزبان توسط نیای تکاملی مستقل ویروس رگبرگ زرد نکروتیک چغندر قند
خـریـد محـصـول
واکنش پروسکایت ها به عنوان مبدل‌های خودرو
خـریـد محـصـول
ویژگی‌های انتقال منفذی و انتشار مؤثر مونولیت سرامیکی برای مبدل کاتالیزوری خودرو
خـریـد محـصـول
مبدل ترافیکی و کاتالیستی- آلایندگی اتمسفری مربوطه در منطقه شهری ریو دوژانیرو
خـریـد محـصـول
مکانیسم بازیابی فلزات گروه پلاتینوم از مبدل‌های کاتالیستی در سیستم‌های استفاده شده در اگزوز
خـریـد محـصـول
مطالعه تفضیلی اکسایش کاتالییستی HCHO و co در کاتالیزور Mn0.75Co2.25O4
خـریـد محـصـول
رفتار سه سویه فازهای ترکیبی و جداگانه پلاتینوم، پالادیوم و رادیوم در ترکیب گازی کامل
خـریـد محـصـول
مطالعه در مقیاس بنچ گاز مصنوعی یک مبدل کاتالیزوری ۴ راهی: اکسایش کاتالیزوری
خـریـد محـصـول
ثبت اختراع یا انتشار مقاله

ثبت اختراع یا انتشار مقاله کدام اول باید انجام شود؟ پژوهشگران منابع مالی و غیر مالی بسیاری را صرف انجام تحقیقات و پژوهش ها میکنند و امکان دارد تعدادی از آنها تبدیل به دستاوردها و فناوری های نو گردد. محققان این نتایج را به سرعت در مقالات علمی ملی و بین المللی منتشر و به آن افتخار میکنند. اما باید مد نظر داشت، چنانچه دستاورد پژوهشی امکان تبدیل شدن به یک محصول یا فرآیند قابل استفاده و تولید در صنعت را داشته باشد، هر گونه انتشار عمومی از جمله مقاله باعث از دست رفتن شرط جدید بودن و در نتیجه عدم امکان ثبت فناوری به عنوان اختراع خواهد شد.

در نتیجه محققان و پژوهشگران باید پیش از هرگونه افشاء عمومی آن دسته از نتایج تحقیقاتی که شرایط ثبت اختراع را دارا می باشد به صورت اظهارنامه اختراع در اداره مربوطه ثبت و سپس نسبت به انتشار آنها اقدام کنند. امکان دارد مراحل ثبت اختراع چندین ماه به طول بیانجامد که انتشار مقاله (و مانند آن) پس از تاریخ ثبت اظهارنامه اختراع مشکلی را در فرآیند ثبت اختراع بوجود نمی آورد.

از آنجا که برخی دستاورد ها مانند روشهای تشخیص بیماری و نوآوری های مدیریتی قابلیت ثبت اختراع بین المللی و ملی را ندارند، محققان بدون نگرانی میتوانند انتشار در مقالات داخلی و خارجی را به عنوان اولین گزینه جهت کسب افتخار دست یابی به این قبیل پژوهشها انتخاب کنند.

برو بالا