light box
امتیاز 3.25 طراحی دستگاه دوگیتی دو کاناله در AlGaN/GaN MIS-HEMTs">

نوع فایل : word
تعداد صفحات : 8
تعداد کلمات : 3700
مجله : IETE Journal of Research
انتشار : 2018
دسته بندی :
برچسب ها : ، ، ، ، ، ، ، ، ،

عنوان فارسی مقاله: فرونشانی اثرات کانال کوتاه با طراحی دستگاه دوگیتی دو کاناله در AlGaN/GaN MIS-HEMTs معمولاً بسته

چکیده

 در این مطالعه، ما شبیه سازی های عددی نیمه رسانای عایق فلز AlGaN/GaN معمولاً بسته یا MIS-HEMTs را انجام دادیم. یک طرح دستگاه دو گیتی دو کاناله پیشنهاد شده و با استفاده از مدل‌های TCAD واسنجی (کالیبره شده) تجزیه تحلیل شد. شکل هندسی دو گیتی، کنترل پیشرفته گیت را نسبت به دو کانال فراهم کرده و به این ترتیب، موجب فرونشانی و توقف اثرات کانال کوتاه می‌شود(شبیه سازیهای عددی نیمه رسانای عایق). دستگاه پیشنهادی، شیب زیرآستانه ۷۲ میلی ولت بر دهه را نشان می‌دهد که یک بهبود ۵۰ درصدی نسبت به دستگاه تک گیتی تک کاناله با طول گیت ۳ میکرومتر است. هر دو ساختار تک گیتی تک کاناله و دو گیتی دو کاناله از نظر توانایی خنثی سازی اثرات کانال کوتاه در دستگاه‌های MIS-HEMT مقایسه شدند. نتایج نشان داد که طرح دو گیتی نسبت به دستگاه تک گیتی تک کاناله با بهبود ۸۰ درصد در کاهش صد القایی درین در طول گیت زیرمیکرومتر، عملکرد برتری دارد(شبیه سازیهای عددی نیمه رسانای عایق).

 

کلیه مقالات مرتبط را میتوانید در بخش ترجمه مقالات برق ملاحظه کنید.

Title: Suppression of Short-channel Effects by Double gate Double-channel Device Design in Normally-off AlGaN/GaN MIS-HEMTs

Abstract: 

In this work, we have performed numerical simulations of normally-off AlGaN/GaN recessed Metal–Insulator-Semiconductor or MIS-HEMTs. A double-gate double-channel device design is proposed and analyzed using calibrated TCAD models. The dual-gate geometry is shown to provide an enhanced gate control over the double-channel, thereby suppressing the short-channel effects. The proposed device exhibits 72-mV/decade subthreshold slope, which is 50% improvement compared to the single-gate single-channel device with 3 µm gate length. Both the double-gate double-channel and single-gate single-channel structures are compared for their ability to counter short-channel effects in aggressively scaled MIS-HEMT devices. It is shown that, double-gate design is superior to single-gate single-channel device with 80% improvement in drain-induced barrier lowering at sub-micrometer gate lengths.

ثبت دیدگاه

    • دیدگاه های ارسال شده توسط شما، پس از تایید توسط تیم مدیریت در وب منتشر خواهد شد.
    • پیام هایی که حاوی تهمت یا افترا باشد منتشر نخواهد شد.
    • پیام هایی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط باشد منتشر نخواهد شد.

برای ارسال دیدگاه شما باید وارد سایت شوید.

محصولات مشابه
تأثیر شیوه های مدیریتی زنجیره تأمین سبز بر پایداری محیط زیست: کارخانه های تولید پوشاک آماده بنگلادش
خـریـد محـصـول
پیشرفت‌های حاصل شده در روشهای فرآوری مواد اومامی: یک مقاله‌ی مروری
خـریـد محـصـول
جغرافیای انگ: روش‌های تجربی برای تعیین مجازات و تاوان مکان
خـریـد محـصـول
بررسی شیوه‌های استخراج کلاژن به منظور تجزیه تحلیل ایزوتوپ‌های پایدار در تحقیقات رژیم غذایی
خـریـد محـصـول
دلبستگی والدین ، وابستگی عاشقانه بزرگسالان و کودکان و رضایت زناشویی: بررسی زمینه های فرهنگی
خـریـد محـصـول
الگوهای دلبستگی(وابستگی) والدین در مادران کودکان مبتلا به اختلال اضطراب
خـریـد محـصـول
استراتژی‌های تمایز و عملکرد بانک‌های پول سپرده گذاری در بندر هارکورت، نیجریه
خـریـد محـصـول
تأثیر زکات تولید در افزایش درآمد در کاهش فقر جامعه در آچه اندونزی
خـریـد محـصـول
مروری بر راه حل‌های اینترنت اشیا برای کنترل انرژی هوشمند در ساختمان‌ها برای کاربردهای شهر هوشمند
خـریـد محـصـول
تحلیل محتوای صندوق های سرمایه گذاری مطابق با شرع در KSA: آیا عدالت اجتماعی مهم است ؟
خـریـد محـصـول
ثبت اختراع یا انتشار مقاله

ثبت اختراع یا انتشار مقاله کدام اول باید انجام شود؟ پژوهشگران منابع مالی و غیر مالی بسیاری را صرف انجام تحقیقات و پژوهش ها میکنند و امکان دارد تعدادی از آنها تبدیل به دستاوردها و فناوری های نو گردد. محققان این نتایج را به سرعت در مقالات علمی ملی و بین المللی منتشر و به آن افتخار میکنند. اما باید مد نظر داشت، چنانچه دستاورد پژوهشی امکان تبدیل شدن به یک محصول یا فرآیند قابل استفاده و تولید در صنعت را داشته باشد، هر گونه انتشار عمومی از جمله مقاله باعث از دست رفتن شرط جدید بودن و در نتیجه عدم امکان ثبت فناوری به عنوان اختراع خواهد شد.

در نتیجه محققان و پژوهشگران باید پیش از هرگونه افشاء عمومی آن دسته از نتایج تحقیقاتی که شرایط ثبت اختراع را دارا می باشد به صورت اظهارنامه اختراع در اداره مربوطه ثبت و سپس نسبت به انتشار آنها اقدام کنند. امکان دارد مراحل ثبت اختراع چندین ماه به طول بیانجامد که انتشار مقاله (و مانند آن) پس از تاریخ ثبت اظهارنامه اختراع مشکلی را در فرآیند ثبت اختراع بوجود نمی آورد.

از آنجا که برخی دستاورد ها مانند روشهای تشخیص بیماری و نوآوری های مدیریتی قابلیت ثبت اختراع بین المللی و ملی را ندارند، محققان بدون نگرانی میتوانند انتشار در مقالات داخلی و خارجی را به عنوان اولین گزینه جهت کسب افتخار دست یابی به این قبیل پژوهشها انتخاب کنند.

در اولین مرحله از شروع یک تحقیق جدید نیاز است منابع مختلفی جستجو شود تا جدید بودن ایده مورد بررسی قرار گیرد. یکی از بهترین منابع جهت جستجو، جستجوی اختراع های ثبت شده است. پایگاه های جستجوی پتنت به محقق کمک میکند پیشینه تحقیق خود را مورد بررسی قرار دهد تا مطمئن شود کار تکراری انجام نمیدهد. لیست اختراعات ثبت شده در ایران در طبقه بندی بین المللی A که شامل اختراعات حوزه نیاز ها بشری شامل کشاوری، مواد غذایی، کالاهای خانگی یا شخصی، بهداشت و سرگرمی را میتوانید در پایگاه جستجوی دارایی های فکریدارکوب مشاهده کنید.
برو بالا