عنوان فارسی مقاله:تحقیقات پارامترهای MOSFET نانومقیاس بر عملکرد مبدل های انرژی برای اینترنت اشیاء
چکیده
دستگاههای بی سیم میکرو بطور گسترده در شناسایی فرکانس رادیویی (RFID) ، شبکههای حسگر بی سیم (WSN) ، اینترنت اشیاء (IoT) اتخاذ شدهاند. در میان آنها ، وسایل منفعل جایگاه ویژهای دارند ، زیرا آنها منبع تغذیه داخلی ثابت ندارند. وسایل منفعل ارزانتر و جمع و جورتر از آنالوگهای فعال خود هستند ، طول عمر آنها بیشتر است و میتوان در بعضی از برنامهها کاربرد داشت که برای برچسبهای فعال نامناسب است ، به عنوان مثال در کاشتهای پزشکی اما دستگاههای غیرفعال باید انرژی لازم را از خارج از طریق پرتوهای RF دریافت کنند . برای تبدیل این انرژی به ولتاژ منبع تغذیه از Microdevice Pass IC ، از یکسو کننده ولتاژ استفاده میشود. هدف از این کار ، بررسی تأثیرگذاری بر ولتاژ خروجی توسط پارامترهای MOSFET متصل به دیودهای نانو ، است که عملکردهای یکسو کنندهها را در مبدلهای انرژی انجام میدهند. مقایسه تنظیمات مختلف یکسو کننده ولتاژ بر اساس نتایج شبیه سازی تانر EDA انجام شده است. ویژگیهای ولتاژ فعلی MOSFET های متصل به دیود برای فن آوری های مختلف CMOS به دست آمد. تأثیر ولتاژ آستانه ترانزیستور و اندازههای آن بر ولتاژ خروجی ضرب تک مرحلهای برای فن آوری های مختلف ، دامنه ولتاژ ورودی و مقاومت بار مورد بررسی قرار گرفت. نتایج تحقیق میتواند در طراحی ریزگردهای غیرفعال بی سیم مفید باشد(مبدل های انرژی برای اینترنت اشیاء).
- لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
- همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
- ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.