تحقیقات پارامترهای MOSFET نانومقیاس بر عملکرد مبدل های انرژی

نوع فایل : word

تعداد صفحات : 8

تعداد کلمات : 3000

مجله : International Journal of Innovative Research in Electronics and Communications (IJIREC)

انتشار : 2019

ترجمه ی متون جدول : ترجمه شده است

درج جداول در فایل ترجمه : درج شده است

منابع داخل متن : به صورت فارسی درج شده است

کیفیت ترجمه : طلایی

فونت ترجمه : ب نازنین 12

تاریخ انتشار
20 می 2020
دسته بندی
تعداد بازدیدها
1418 بازدید
22,000 تومان

عنوان فارسی مقاله:تحقیقات پارامترهای MOSFET نانومقیاس بر عملکرد مبدل های انرژی برای اینترنت اشیاء

 چکیده

دستگاه‌های  بی سیم میکرو  بطور گسترده در شناسایی فرکانس رادیویی (RFID) ، شبکه‌های حسگر بی سیم (WSN) ، اینترنت اشیاء (IoT) اتخاذ شده‌اند. در میان آنها ، وسایل منفعل جایگاه ویژه‌ای دارند ، زیرا آنها منبع تغذیه داخلی ثابت ندارند. وسایل منفعل ارزان‌تر و جمع و جورتر از آنالوگ‌های فعال خود هستند ، طول عمر آنها بیشتر است و می‌توان در بعضی از برنامه‌ها کاربرد داشت که برای برچسب‌های فعال نامناسب است ، به عنوان مثال در کاشتهای پزشکی اما دستگاه‌های غیرفعال باید انرژی لازم را از خارج از طریق پرتوهای RF دریافت کنند  . برای تبدیل این انرژی به ولتاژ منبع تغذیه از Microdevice Pass IC ، از یکسو کننده ولتاژ استفاده می‌شود. هدف از این کار ، بررسی تأثیرگذاری بر ولتاژ خروجی توسط پارامترهای MOSFET متصل به دیودهای نانو ، است که عملکردهای یکسو کننده‌ها را در مبدل‌های انرژی انجام می‌دهند. مقایسه تنظیمات مختلف یکسو کننده ولتاژ بر اساس نتایج شبیه سازی تانر EDA انجام شده است. ویژگی‌های ولتاژ فعلی MOSFET های متصل به دیود برای فن آوری های مختلف CMOS به دست آمد. تأثیر ولتاژ آستانه ترانزیستور و اندازه‌های آن بر ولتاژ خروجی ضرب تک مرحله‌ای برای فن آوری های مختلف ، دامنه ولتاژ ورودی و مقاومت بار مورد بررسی قرار گرفت. نتایج تحقیق می‌تواند در طراحی ریزگردهای غیرفعال بی سیم مفید باشد(مبدل های انرژی برای اینترنت اشیاء).

ادامه مطلب

راهنمای خرید:
  • لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.

TITLE: Research of Nanoscale MOSFET Parameters Impact on the Performance of Energy Converters for Internet of Things

Abstract

Wireless microdevices are widely adopted in Radio-frequency Identification (RFID), Wireless Sensor Networks (WSN), Internet of Things (IoT). Among them, passive devices have a special place, since they haven’t constant internal power supply. Passive devices are cheaper and more compact than their active analogs, their lifetime is higher, and they can be applied in some applications, which are inappropriate for active tags, e.g. in medical implants. However passive devices have to receive the energy for operation from the outside through RF radiation - from reader or harvesting energy from the environment. For conversion this energy to power supply voltage of passive microdevice IC, voltage rectifiers are used. The purpose of this work is research of impact on output voltage by parameters of nanoscale diode-connected MOSFETs, which perform functions of rectifiers in the energy converters. The comparison of different voltage rectifier configurations was made based on Tanner EDA simulation results. The current-voltage characteristics of diode-connected MOSFETs were obtained for different CMOS technologies. The impact of transistor threshold voltage and its sizes on output voltage of single-stage multiplier for different technologies, input voltage amplitudes and load resistances was investigated. The results of the research can be useful in the design of wireless passive microdevices.

 

    دیدگاهتان را بنویسید