light box
امتیاز 2.65 تحقیقات پارامترهای MOSFET نانومقیاس بر عملکرد مبدل های انرژی">

نوع فایل : word
تعداد صفحات : 8
تعداد کلمات : 3000
مجله : International Journal of Innovative Research in Electronics and Communications (IJIREC)
انتشار : 2019
ترجمه ی متون جدول : ترجمه شده است
درج جداول در فایل ترجمه : درج شده است
منابع داخل متن : به صورت فارسی درج شده است
کیفیت ترجمه : طلایی
فونت ترجمه : ب نازنین 12
دسته بندی :
برچسب ها : ، ، ، ، ، ، ، ، ، ، ، ، ، ،

عنوان فارسی مقاله:تحقیقات پارامترهای MOSFET نانومقیاس بر عملکرد مبدل های انرژی برای اینترنت اشیاء

 چکیده

دستگاه‌های  بی سیم میکرو  بطور گسترده در شناسایی فرکانس رادیویی (RFID) ، شبکه‌های حسگر بی سیم (WSN) ، اینترنت اشیاء (IoT) اتخاذ شده‌اند. در میان آنها ، وسایل منفعل جایگاه ویژه‌ای دارند ، زیرا آنها منبع تغذیه داخلی ثابت ندارند. وسایل منفعل ارزان‌تر و جمع و جورتر از آنالوگ‌های فعال خود هستند ، طول عمر آنها بیشتر است و می‌توان در بعضی از برنامه‌ها کاربرد داشت که برای برچسب‌های فعال نامناسب است ، به عنوان مثال در کاشتهای پزشکی اما دستگاه‌های غیرفعال باید انرژی لازم را از خارج از طریق پرتوهای RF دریافت کنند  . برای تبدیل این انرژی به ولتاژ منبع تغذیه از Microdevice Pass IC ، از یکسو کننده ولتاژ استفاده می‌شود. هدف از این کار ، بررسی تأثیرگذاری بر ولتاژ خروجی توسط پارامترهای MOSFET متصل به دیودهای نانو ، است که عملکردهای یکسو کننده‌ها را در مبدل‌های انرژی انجام می‌دهند. مقایسه تنظیمات مختلف یکسو کننده ولتاژ بر اساس نتایج شبیه سازی تانر EDA انجام شده است. ویژگی‌های ولتاژ فعلی MOSFET های متصل به دیود برای فن آوری های مختلف CMOS به دست آمد. تأثیر ولتاژ آستانه ترانزیستور و اندازه‌های آن بر ولتاژ خروجی ضرب تک مرحله‌ای برای فن آوری های مختلف ، دامنه ولتاژ ورودی و مقاومت بار مورد بررسی قرار گرفت. نتایج تحقیق می‌تواند در طراحی ریزگردهای غیرفعال بی سیم مفید باشد(مبدل های انرژی برای اینترنت اشیاء).

TITLE: Research of Nanoscale MOSFET Parameters Impact on the Performance of Energy Converters for Internet of Things

Abstract

Wireless microdevices are widely adopted in Radio-frequency Identification (RFID), Wireless Sensor Networks (WSN), Internet of Things (IoT). Among them, passive devices have a special place, since they haven’t constant internal power supply. Passive devices are cheaper and more compact than their active analogs, their lifetime is higher, and they can be applied in some applications, which are inappropriate for active tags, e.g. in medical implants. However passive devices have to receive the energy for operation from the outside through RF radiation - from reader or harvesting energy from the environment. For conversion this energy to power supply voltage of passive microdevice IC, voltage rectifiers are used. The purpose of this work is research of impact on output voltage by parameters of nanoscale diode-connected MOSFETs, which perform functions of rectifiers in the energy converters. The comparison of different voltage rectifier configurations was made based on Tanner EDA simulation results. The current-voltage characteristics of diode-connected MOSFETs were obtained for different CMOS technologies. The impact of transistor threshold voltage and its sizes on output voltage of single-stage multiplier for different technologies, input voltage amplitudes and load resistances was investigated. The results of the research can be useful in the design of wireless passive microdevices.

 

    ثبت دیدگاه

      • دیدگاه های ارسال شده توسط شما، پس از تایید توسط تیم مدیریت در وب منتشر خواهد شد.
      • پیام هایی که حاوی تهمت یا افترا باشد منتشر نخواهد شد.
      • پیام هایی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط باشد منتشر نخواهد شد.

    برای ارسال دیدگاه شما باید وارد سایت شوید.

    محصولات مشابه
    اثرات اینترفرون آلفا و درمان سیکلوسپورین به طور جداگانه
    خـریـد محـصـول
    راهنمای ایمنی جاده، راهنمایی برای متخصصان، مدیریت ایمنی جاده، سیستم مدیریت ایمنی
    خـریـد محـصـول
    ساختار کریستال یا بلورین دومین اتصال RNA پروتئین
    خـریـد محـصـول
    اثر روش‌های سنتز بر روی کارایی کاتالیزورهای سه راهه Pt + Rh/Ce0.6Zr0.4O2
    خـریـد محـصـول
    کاتالیزورهای سه راهه xZr1−xO2/Al2O3 Pd/Ce جدید تولید شده با میکرو امولسیون
    خـریـد محـصـول
    تثبیت محلول‌های جامد CeO2-ZrO2 با ساختار نانو با افزایش AL2O3
    خـریـد محـصـول
    اثر ضد میگرنی Δ۹-تتراهیدروکانابینول در موش صحرایی ماده
    خـریـد محـصـول
    کانابیدیول یک روش درمانی بالقوه برای بعد عاطفی-انگیزشی درد پس از عمل
    خـریـد محـصـول
    حساسیت مختص به گونه به تشنج‌های ناشی از مصرف ماری جوانا
    خـریـد محـصـول
    بهینه ساز بادبان ماهی: یک الگوریتم فراابتکاری الهام گرفته از طبیعت جدید
    خـریـد محـصـول
    ثبت اختراع یا انتشار مقاله

    ثبت اختراع یا انتشار مقاله کدام اول باید انجام شود؟ پژوهشگران منابع مالی و غیر مالی بسیاری را صرف انجام تحقیقات و پژوهش ها میکنند و امکان دارد تعدادی از آنها تبدیل به دستاوردها و فناوری های نو گردد. محققان این نتایج را به سرعت در مقالات علمی ملی و بین المللی منتشر و به آن افتخار میکنند. اما باید مد نظر داشت، چنانچه دستاورد پژوهشی امکان تبدیل شدن به یک محصول یا فرآیند قابل استفاده و تولید در صنعت را داشته باشد، هر گونه انتشار عمومی از جمله مقاله باعث از دست رفتن شرط جدید بودن و در نتیجه عدم امکان ثبت فناوری به عنوان اختراع خواهد شد.

    در نتیجه محققان و پژوهشگران باید پیش از هرگونه افشاء عمومی آن دسته از نتایج تحقیقاتی که شرایط ثبت اختراع را دارا می باشد به صورت اظهارنامه اختراع در اداره مربوطه ثبت و سپس نسبت به انتشار آنها اقدام کنند. امکان دارد مراحل ثبت اختراع چندین ماه به طول بیانجامد که انتشار مقاله (و مانند آن) پس از تاریخ ثبت اظهارنامه اختراع مشکلی را در فرآیند ثبت اختراع بوجود نمی آورد.

    از آنجا که برخی دستاورد ها مانند روشهای تشخیص بیماری و نوآوری های مدیریتی قابلیت ثبت اختراع بین المللی و ملی را ندارند، محققان بدون نگرانی میتوانند انتشار در مقالات داخلی و خارجی را به عنوان اولین گزینه جهت کسب افتخار دست یابی به این قبیل پژوهشها انتخاب کنند.

    برو بالا