light box
امتیاز 3.19 دستگاه های قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون SOI بر عایق با اکسید مدفون">

نوع فایل : word
تعداد صفحات : 13
تعداد کلمات : 3400
مجله : Solid-State Electronics
انتشار : 2004
ترجمه متون داخل جداول : ترجمه شده است
درج جداول در فایل ترجمه : درج شده است
منابع داخل متن : به صورت فارسی درج شده است
کیفیت ترجمه : طلایی
دسته بندی :
برچسب ها : ، ، ، ، ، ، ، ، ، ، ،

عنوان فارسی مقاله:دستگاه های قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون SOI  بر عایق با اکسید مدفون

 

چکیده

 ما به توصیف دستگاه های SOI می پردازیم که  دارای یک اکسید مدفون برای  بهبود عملکرد  دستگاه می پردازیم. SOI-LDMOSFET  با ولتاژ بالا دارای یک اکسید  مدفون است. این خود امکان کاهش طول  رانش را بدون کاهش ولتاژ تجزیه می دهد(پوشش سیلیکونSOI بر عایق بااکسید مدفون). با ساختار ابزار پیشنهادی، کاهش مقاوم لایه رانش n می تواند حاصل شود. ولتاژ تجزیه و مقاومت ویژه  قطعات پیشنهادی به صورت تابعی از عمق اکسید مدفون،  پهنای ستون p و دوپینگ  تعریف می شود. ترانزیستور های  دو قطبی عایق جانبی با آند کوتاه بر روی SOI دارای اکسید مدفون در منطقه آند می باشند. این خود از ولتاز SA-LIGBT بدون افزایش طول آند جلوگیری می کند. با استفاده از یک شبیه ساز عددی دو بعدی، Minimos-NT، تایید می شود که طول  رانش SJ SOILDMOSFET پیشنهادی به ۶۵  درصد در مقایسه با ابزار های سنتی کاهش می یابد و منطقه مقاومت دیفرانسیل منفی با SOI SA-LIGBT  مشاهده می شود(پوشش سیلیکونSOI بر عایق بااکسید مدفون).

دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی

Title: New SOI lateral power devices with trench oxide

Abstract: 

We describe new SOI lateral power devices which have a trench oxide to improve the device performance. Highvoltage super-junction (SJ) SOI-LDMOSFETs have a trench oxide in the drift region. It allows to reduce the drift length without degrading the breakdown voltage. With the proposed device structure a reduction of the on-resistance of the n-drift layer can be achieved. The breakdown voltage and the specific on-resistance of the suggested devices as a function of the trench oxide depth, the p-column width, and the doping are studied. Shorted-anode lateral insulatedgate bipolar transistors (SA-LIGBTs) on SOI have a trench oxide at the drain/anode region. It suppresses effectively the snap-back voltage inherent in conventional SA-LIGBTs without increasing the anode length of the device. Using the two-dimensional numerical simulator Minimos-NT, we confirm that the drift length of the proposed SJ SOILDMOSFETs is reduced to 65% compared to conventional devices, and a weak negative differential resistance region is observed with the proposed SOI SA-LIGBT.

ثبت دیدگاه

    • دیدگاه های ارسال شده توسط شما، پس از تایید توسط تیم مدیریت در وب منتشر خواهد شد.
    • پیام هایی که حاوی تهمت یا افترا باشد منتشر نخواهد شد.
    • پیام هایی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط باشد منتشر نخواهد شد.

برای ارسال دیدگاه شما باید وارد سایت شوید.

محصولات مشابه
قیمت‌های مسکن و ریسک اعتبار: شواهدی از ایالات متحده
خـریـد محـصـول
نقش یادگیری مشارکتی در بهبود مهارت‌های ارتباطات کلامی دانشجویان یادگیرنده EFL
خـریـد محـصـول
شکستن مقاومت میزبان توسط نیای تکاملی مستقل ویروس رگبرگ زرد نکروتیک چغندر قند
خـریـد محـصـول
واکنش پروسکایت ها به عنوان مبدل‌های خودرو
خـریـد محـصـول
ویژگی‌های انتقال منفذی و انتشار مؤثر مونولیت سرامیکی برای مبدل کاتالیزوری خودرو
خـریـد محـصـول
مبدل ترافیکی و کاتالیستی- آلایندگی اتمسفری مربوطه در منطقه شهری ریو دوژانیرو
خـریـد محـصـول
مکانیسم بازیابی فلزات گروه پلاتینوم از مبدل‌های کاتالیستی در سیستم‌های استفاده شده در اگزوز
خـریـد محـصـول
مطالعه تفضیلی اکسایش کاتالییستی HCHO و co در کاتالیزور Mn0.75Co2.25O4
خـریـد محـصـول
رفتار سه سویه فازهای ترکیبی و جداگانه پلاتینوم، پالادیوم و رادیوم در ترکیب گازی کامل
خـریـد محـصـول
مطالعه در مقیاس بنچ گاز مصنوعی یک مبدل کاتالیزوری ۴ راهی: اکسایش کاتالیزوری
خـریـد محـصـول
ثبت اختراع یا انتشار مقاله

ثبت اختراع یا انتشار مقاله کدام اول باید انجام شود؟ پژوهشگران منابع مالی و غیر مالی بسیاری را صرف انجام تحقیقات و پژوهش ها میکنند و امکان دارد تعدادی از آنها تبدیل به دستاوردها و فناوری های نو گردد. محققان این نتایج را به سرعت در مقالات علمی ملی و بین المللی منتشر و به آن افتخار میکنند. اما باید مد نظر داشت، چنانچه دستاورد پژوهشی امکان تبدیل شدن به یک محصول یا فرآیند قابل استفاده و تولید در صنعت را داشته باشد، هر گونه انتشار عمومی از جمله مقاله باعث از دست رفتن شرط جدید بودن و در نتیجه عدم امکان ثبت فناوری به عنوان اختراع خواهد شد.

در نتیجه محققان و پژوهشگران باید پیش از هرگونه افشاء عمومی آن دسته از نتایج تحقیقاتی که شرایط ثبت اختراع را دارا می باشد به صورت اظهارنامه اختراع در اداره مربوطه ثبت و سپس نسبت به انتشار آنها اقدام کنند. امکان دارد مراحل ثبت اختراع چندین ماه به طول بیانجامد که انتشار مقاله (و مانند آن) پس از تاریخ ثبت اظهارنامه اختراع مشکلی را در فرآیند ثبت اختراع بوجود نمی آورد.

از آنجا که برخی دستاورد ها مانند روشهای تشخیص بیماری و نوآوری های مدیریتی قابلیت ثبت اختراع بین المللی و ملی را ندارند، محققان بدون نگرانی میتوانند انتشار در مقالات داخلی و خارجی را به عنوان اولین گزینه جهت کسب افتخار دست یابی به این قبیل پژوهشها انتخاب کنند.

برو بالا