منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت ۲۰ نانومتر

نوع فایل : word

تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش : 13

تعداد کلمات : 2000

مجله : IEEE

انتشار : 2000

ترجمه متون داخل جداول : ترجمه شده است

درج جداول در فایل ترجمه : درج شده است

منابع داخل متن : به صورت فارسی درج شده است

کیفیت ترجمه : طلایی

فونت ترجمه : ب نازنین 12

تاریخ انتشار
30 مارس 2020
دسته بندی
تعداد بازدیدها
1340 بازدید
8,000 تومان

عنوان فارسی مقاله:منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای  رژیم با طول گیت ۲۰ نانومتر

چکیده

ترانزیستور بدنه نازک با منبع سیلیسید و با طول گیت ۱۵نانومتر ساخته شده است. مکمل سیلیسید  کم مانع ارتباط و مقاومت سری برای کاهش استفاده شد. حداقل طول گیت ترانزیستور را با Tox=40Å  نشان می دهند  PMOS |Idsat|=270µA/µmو NMOS |Idsat|=190µA/µm با Vds=1.5V, |Vg-Vt|=1.2V و Ion/Ioff>104 می باشد. یک مدل انتقال ساده برازش داده شده با داده های آزمایشی برای بررسی اثرات زنگ اکسید و دوپ شدگی استفاده می شود.

کلیه مقالات مرتبط را میتوانید در بخش ترجمه مقالات زیست شناسی ملاحظه کنید.

 

ادامه مطلب

راهنمای خرید:
  • لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.

 Title: Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime

Abstract

Thin-body transistors with silicide source/drains were fabricated with gate-lengths down to 15nm. Complementary low-barrier silicides were used to reduce contact and series resistance. Minimum gate-length transistors with Tox=40Å show PMOS |Idsat|=270µA/µm and NMOS |Idsat|=190µA/µm with Vds=1.5V, |Vg-Vt|=1.2V and, Ion/Ioff>104. A simple transmission model, fitted to experimental data, is used to investigate effects of oxide scaling and extension doping.