طراحی دستگاه دوگیتی دو کاناله در AlGaN/GaN MIS-HEMTs

عنوان فارسی مقاله: فرونشانی اثرات کانال کوتاه با طراحی دستگاه دوگیتی دو کاناله در AlGaN/GaN MIS-HEMTs معمولاً بسته

چکیده

در این مطالعه، ما شبیه سازی های عددی نیمه رسانای عایق فلز AlGaN/GaN معمولاً بسته یا MIS-HEMTs را انجام دادیم. یک طرح دستگاه دو گیتی دو کاناله پیشنهاد شده و با استفاده از مدل‌های TCAD واسنجی (کالیبره شده) تجزیه تحلیل شد. شکل هندسی دو گیتی، کنترل پیشرفته گیت را نسبت به دو کانال فراهم کرده و به این ترتیب، موجب فرونشانی و توقف اثرات کانال کوتاه می‌شود(شبیه سازیهای عددی نیمه رسانای عایق). دستگاه پیشنهادی، شیب زیرآستانه ۷۲ میلی ولت بر دهه را نشان می‌دهد که یک بهبود ۵۰ درصدی نسبت به دستگاه تک گیتی تک کاناله با طول گیت ۳ میکرومتر است. هر دو ساختار تک گیتی تک کاناله و دو گیتی دو کاناله از نظر توانایی خنثی سازی اثرات کانال کوتاه در دستگاه‌های MIS-HEMT مقایسه شدند. نتایج نشان داد که طرح دو گیتی نسبت به دستگاه تک گیتی تک کاناله با بهبود ۸۰ درصد در کاهش صد القایی درین در طول گیت زیرمیکرومتر، عملکرد برتری دارد(شبیه سازیهای عددی نیمه رسانای عایق).

کلیه مقالات مرتبط را میتوانید در بخش ترجمه مقالات برق ملاحظه کنید.

ادامه مطلب

راهنمای خرید:

لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.

Title: Suppression of Short-channel Effects by Double gate Double-channel Device Design in Normally-off AlGaN/GaN MIS-HEMTs

Abstract:

In this work, we have performed numerical simulations of normally-off AlGaN/GaN recessed Metal–Insulator-Semiconductor or MIS-HEMTs. A double-gate double-channel device design is proposed and analyzed using calibrated TCAD models. The dual-gate geometry is shown to provide an enhanced gate control over the double-channel, thereby suppressing the short-channel effects. The proposed device exhibits 72-mV/decade subthreshold slope, which is 50% improvement compared to the single-gate single-channel device with 3 µm gate length. Both the double-gate double-channel and single-gate single-channel structures are compared for their ability to counter short-channel effects in aggressively scaled MIS-HEMT devices. It is shown that, double-gate design is superior to single-gate single-channel device with 80% improvement in drain-induced barrier lowering at sub-micrometer gate lengths.