light box
امتیاز 2.62 منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت ۲۰ نانومتر">

نوع فایل : word
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش : 13
تعداد کلمات : 2000
مجله : IEEE
انتشار : 2000
ترجمه متون داخل جداول : ترجمه شده است
درج جداول در فایل ترجمه : درج شده است
منابع داخل متن : به صورت فارسی درج شده است
کیفیت ترجمه : طلایی
فونت ترجمه : ب نازنین 12
دسته بندی :
برچسب ها : ، ، ، ، ، ، ، ، ، ، ،

عنوان فارسی مقاله:منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای  رژیم با طول گیت ۲۰ نانومتر

چکیده

ترانزیستور بدنه نازک با منبع سیلیسید و با طول گیت ۱۵نانومتر ساخته شده است. مکمل سیلیسید  کم مانع ارتباط و مقاومت سری برای کاهش استفاده شد. حداقل طول گیت ترانزیستور را با Tox=40Å  نشان می دهند  PMOS |Idsat|=270µA/µmو NMOS |Idsat|=190µA/µm با Vds=1.5V, |Vg-Vt|=1.2V و Ion/Ioff>104 می باشد. یک مدل انتقال ساده برازش داده شده با داده های آزمایشی برای بررسی اثرات زنگ اکسید و دوپ شدگی استفاده می شود.

کلیه مقالات مرتبط را میتوانید در بخش ترجمه مقالات زیست شناسی ملاحظه کنید.

 

 Title: Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime

Abstract

Thin-body transistors with silicide source/drains were fabricated with gate-lengths down to 15nm. Complementary low-barrier silicides were used to reduce contact and series resistance. Minimum gate-length transistors with Tox=40Å show PMOS |Idsat|=270µA/µm and NMOS |Idsat|=190µA/µm with Vds=1.5V, |Vg-Vt|=1.2V and, Ion/Ioff>104. A simple transmission model, fitted to experimental data, is used to investigate effects of oxide scaling and extension doping.

دیدگاهها بسته است.

محصولات مشابه
کاربردهای پلیمرهای حافظه شکلی در زیست پزشکی
خـریـد محـصـول
مورفولوژی گرده زیرخانواده پورنج (یافا) (Rutaceae)
خـریـد محـصـول
پایش سرمایه گذاری بانک و اوراق قرضه
خـریـد محـصـول
تغییر به IFRS11 برای سرمایه گذاری مشترک بر اهمیت ارزش صورت های مالی تلفیقی شرکتی
خـریـد محـصـول
صدا (اصوات) به عنوان داده
خـریـد محـصـول
مطالعه تجربی شاخص عملکرد حاکمیت شرکتی با استناد به بخشهای منتخب شرکتی
خـریـد محـصـول
برآورد بحران نقدینگی ناشی از Covid-19: سیاست و شواهد جهانی
خـریـد محـصـول
گزارش ارزش و عملکرد شرکت
خـریـد محـصـول
اضطراب و افسردگی در والدین کودکانی که با آترزی مری متولد شده اند
خـریـد محـصـول
چگونه ارتباطات سیاسی شرکت بر گزارش دهی مالی اثر دارد؟ مرور منابع
خـریـد محـصـول
ثبت اختراع یا انتشار مقاله

در اولین مرحله از شروع یک تحقیق جدید نیاز است منابع مختلفی جستجو شود تا جدید بودن ایده مورد بررسی قرار گیرد. یکی از بهترین منابع جهت جستجو، لیست اختراع های ثبت شده است. پایگاه های جستجوی پتنت به محقق کمک میکند پیشینه تحقیق خود را مورد بررسی قرار دهد تا مطمئن شود کار تکراری انجام نمیدهد. لیست اختراعات ثبت شده در اداره ثبت اختراعات ایران دارای طبقه بندی های متفاوتی است. در طبقه بندی بین المللی B که شامل اختراعات حوزه نیاز ها بشری شامل عملیات اجرایی، حمل و نقل شامل: کشتیرانی، ترابری و دیگر موارد را میتوانید در پایگاه جستجوی دارایی های فکری دارکوب مشاهده کنید.

ثبت اختراع یا انتشار مقاله کدام اول باید انجام شود؟ پژوهشگران منابع مالی و غیر مالی بسیاری را صرف انجام تحقیقات و پژوهش ها میکنند و امکان دارد تعدادی از آنها تبدیل به دستاوردها و فناوری های نو گردد. محققان این نتایج را به سرعت در مقالات علمی ملی و بین المللی منتشر و به آن افتخار میکنند. اما باید مد نظر داشت، چنانچه دستاورد پژوهشی امکان تبدیل شدن به یک محصول یا فرآیند قابل استفاده و تولید در صنعت را داشته باشد، هر گونه انتشار عمومی از جمله مقاله باعث از دست رفتن شرط جدید بودن و در نتیجه عدم امکان ثبت فناوری به عنوان اختراع خواهد شد.

در نتیجه محققان و پژوهشگران باید پیش از هرگونه افشاء عمومی آن دسته از نتایج تحقیقاتی که شرایط ثبت اختراع را دارا می باشد به صورت اظهارنامه اختراع در اداره مربوطه ثبت و سپس نسبت به انتشار آنها اقدام کنند. امکان دارد مراحل ثبت اختراع چندین ماه به طول بیانجامد که انتشار مقاله (و مانند آن) پس از تاریخ ثبت اظهارنامه اختراع مشکلی را در فرآیند ثبت اختراع بوجود نمی آورد.

از آنجا که برخی دستاورد ها مانند روشهای تشخیص بیماری و نوآوری های مدیریتی قابلیت ثبت اختراع بین المللی و ملی را ندارند، محققان بدون نگرانی میتوانند انتشار در مقالات داخلی و خارجی را به عنوان اولین گزینه جهت کسب افتخار دست یابی به این قبیل پژوهشها انتخاب کنند.

 
برو بالا