دستگاه های قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون SOI بر عایق با اکسید مدفون

نوع فایل : word

تعداد صفحات : 13

تعداد کلمات : 3400

مجله : Solid-State Electronics

انتشار : 2004

ترجمه متون داخل جداول : ترجمه شده است

درج جداول در فایل ترجمه : درج شده است

منابع داخل متن : به صورت فارسی درج شده است

کیفیت ترجمه : طلایی

:

تاریخ انتشار
28 مارس 2020
دسته بندی
تعداد بازدیدها
1032 بازدید
19,500 تومان

عنوان فارسی مقاله:دستگاه های قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون SOI  بر عایق با اکسید مدفون

 

چکیده

 ما به توصیف دستگاه های SOI می پردازیم که  دارای یک اکسید مدفون برای  بهبود عملکرد  دستگاه می پردازیم. SOI-LDMOSFET  با ولتاژ بالا دارای یک اکسید  مدفون است. این خود امکان کاهش طول  رانش را بدون کاهش ولتاژ تجزیه می دهد(پوشش سیلیکونSOI بر عایق بااکسید مدفون). با ساختار ابزار پیشنهادی، کاهش مقاوم لایه رانش n می تواند حاصل شود. ولتاژ تجزیه و مقاومت ویژه  قطعات پیشنهادی به صورت تابعی از عمق اکسید مدفون،  پهنای ستون p و دوپینگ  تعریف می شود. ترانزیستور های  دو قطبی عایق جانبی با آند کوتاه بر روی SOI دارای اکسید مدفون در منطقه آند می باشند. این خود از ولتاز SA-LIGBT بدون افزایش طول آند جلوگیری می کند. با استفاده از یک شبیه ساز عددی دو بعدی، Minimos-NT، تایید می شود که طول  رانش SJ SOILDMOSFET پیشنهادی به ۶۵  درصد در مقایسه با ابزار های سنتی کاهش می یابد و منطقه مقاومت دیفرانسیل منفی با SOI SA-LIGBT  مشاهده می شود(پوشش سیلیکونSOI بر عایق بااکسید مدفون).

دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی

ادامه مطلب

راهنمای خرید:
  • لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.

Title: New SOI lateral power devices with trench oxide

Abstract: 

We describe new SOI lateral power devices which have a trench oxide to improve the device performance. Highvoltage super-junction (SJ) SOI-LDMOSFETs have a trench oxide in the drift region. It allows to reduce the drift length without degrading the breakdown voltage. With the proposed device structure a reduction of the on-resistance of the n-drift layer can be achieved. The breakdown voltage and the specific on-resistance of the suggested devices as a function of the trench oxide depth, the p-column width, and the doping are studied. Shorted-anode lateral insulatedgate bipolar transistors (SA-LIGBTs) on SOI have a trench oxide at the drain/anode region. It suppresses effectively the snap-back voltage inherent in conventional SA-LIGBTs without increasing the anode length of the device. Using the two-dimensional numerical simulator Minimos-NT, we confirm that the drift length of the proposed SJ SOILDMOSFETs is reduced to 65% compared to conventional devices, and a weak negative differential resistance region is observed with the proposed SOI SA-LIGBT.

دیدگاهتان را بنویسید