عنوان فارسی مقاله:دستگاه های قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون SOI بر عایق با اکسید مدفون
چکیده
ما به توصیف دستگاه های SOI می پردازیم که دارای یک اکسید مدفون برای بهبود عملکرد دستگاه می پردازیم. SOI-LDMOSFET با ولتاژ بالا دارای یک اکسید مدفون است. این خود امکان کاهش طول رانش را بدون کاهش ولتاژ تجزیه می دهد(پوشش سیلیکونSOI بر عایق بااکسید مدفون). با ساختار ابزار پیشنهادی، کاهش مقاوم لایه رانش n می تواند حاصل شود. ولتاژ تجزیه و مقاومت ویژه قطعات پیشنهادی به صورت تابعی از عمق اکسید مدفون، پهنای ستون p و دوپینگ تعریف می شود. ترانزیستور های دو قطبی عایق جانبی با آند کوتاه بر روی SOI دارای اکسید مدفون در منطقه آند می باشند. این خود از ولتاز SA-LIGBT بدون افزایش طول آند جلوگیری می کند. با استفاده از یک شبیه ساز عددی دو بعدی، Minimos-NT، تایید می شود که طول رانش SJ SOILDMOSFET پیشنهادی به ۶۵ درصد در مقایسه با ابزار های سنتی کاهش می یابد و منطقه مقاومت دیفرانسیل منفی با SOI SA-LIGBT مشاهده می شود(پوشش سیلیکونSOI بر عایق بااکسید مدفون).
دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی
- لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
- همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
- ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.