عنوان فارسی مقاله:تاثیر و توجیه کاهش دیواره کرین القا شده بر روی MOSFET 100 نانومتری با دی الکتریک های گیت K
چکیده
اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) در MOSFET 100 نانومتری با دی الکتریک های گیت با K بالا با استفاده از دو شبیه ساز دستگاه دو بعدی بررسی می شود. یک تئوری خازن معادل برای توضیح مکانیسم های فیزیکی اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) مورد استفاده قرار گرفت(توجیه کاهش دیواره درین القا شده). بر اساس تئوری خازن معادل، اثرات طول کانال، عمق اتصال، طول هم پوشانی درین دوپ شده سبک و گیت، مواد اسپیسر و عرض اسپیسر بر روی کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) به طور کامل بررسی می شود. دی الکتریک گیت استک برای مهار اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) ارایه شده است(توجیه کاهش دیواره درین القا شده).
دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی
- لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
- همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
- ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.