تاثیر و توجیه کاهش دیواره درین القا شده بر روی MOSFET 100

نوع فایل : word

تعداد صفحات : 13

تعداد کلمات : 2200

مجله : Chin. Phys. B

انتشار : 2012

ترجمه متون داخل جداول : ترجمه شده است

درج جداول در فایل ترجمه : درج شده است

منابع داخل متن : به صورت فارسی درج شده است

کیفیت ترجمه : طلایی

:

تاریخ انتشار
30 مارس 2020
دسته بندی
تعداد بازدیدها
983 بازدید
19,000 تومان

عنوان فارسی مقاله:تاثیر و توجیه کاهش دیواره کرین القا شده بر روی MOSFET 100  نانومتری با دی الکتریک های گیت K

چکیده

اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) در MOSFET 100 نانومتری با  دی الکتریک های گیت با K بالا با استفاده از دو شبیه ساز دستگاه دو بعدی بررسی می شود. یک تئوری خازن معادل  برای توضیح مکانیسم های فیزیکی اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) مورد استفاده قرار گرفت(توجیه کاهش دیواره درین القا شده). بر اساس تئوری خازن معادل، اثرات طول کانال،  عمق اتصال،  طول هم پوشانی درین دوپ شده سبک و گیت، مواد اسپیسر  و عرض اسپیسر بر روی  کاهش دیواره درین القا شده(FIBL)  به طور کامل بررسی می شود. دی الکتریک گیت استک برای  مهار اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) ارایه شده است(توجیه کاهش دیواره درین القا شده).

دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی

ادامه مطلب

راهنمای خرید:
  • لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.

Title: Carrier Statistics and Quantum Capacitance Models of Graphene Nanoscroll

Abstract: 

As a new category of quasi-one-dimensional materials, graphene nanoscroll (GNS) has captivated the researchers recently because of its exceptional electronic properties like having large carrier mobility. In addition, it is admitted that the scrolled configurations for graphene indicate larger stability concerning the energy, as opposed to their counterpart planar configurations like nanoribbon, nanotube, and bilayer graphene. By utilizing a novel analytical approach, the current paper introduces modeling of the density of state (DOS), carrier concentration, and quantum capacitance for graphene nanoscroll (suggested schematic perfect scroll-like Archimedes spiral). The DOS model was derived at first, while it was later applied to compute the carrier concentration and quantum capacitance model. Furthermore, the carrier concentration and quantum capacitance were modeled for both degenerate and nondegenerate regimes, along with examining the effect of structural parameters and chirality number on the density of state and carrier concentration. Latterly, the temperature effect on the quantum capacitance was studied too.

دیدگاهتان را بنویسید