طرح مدار لچ مقاوم به SEU بر اساس DICEعایق شده و المنت های کم مصرف

نوع فایل : word

تعداد صفحات : 19

تعداد کلمات : 6000

مجله : Microelectronics Journal

انتشار : 2014

ترجمه متون داخل جداول : ترجمه شده است

درج جداول در فایل ترجمه : درج شده است

منابع داخل متن : به صورت فارسی درج شده است

کیفیت ترجمه : طلایی

:

تاریخ انتشار
28 مارس 2020
دسته بندی
تعداد بازدیدها
1057 بازدید
19,000 تومان

عنوان فارسی مقاله: طرح مدار لچ مقاوم به SEU بر اساس  DICEعایق شده و المنت های کم مصرف

 

چکیده

تداخل خطای نرم یک چالش طراحی مهم و اساسی در طراحی مدار های  پیشرفته CMOS VLSI محسوب می شود. در این مقاله ما یک طرح  (Iso-DICE)لچDICEعایق ساز SEU را با  ترکیب روش های عایق سازی خطای نرم و روش لچ داخلی که در  طراحی DICE استفاده می شود را پیشنهاد کردیم. برای بهبود تحمل SEU طرحDICE، ما جفت گره های  ذخیره ای دارای توانایی ریکاوری SEU در هر یک از جفت های دیگر را حفظ کرده و  از  گره های ذخیره ای که تحت تاثیر  یک دیگر قرار می گیرند استفاده کردیم. برای کاهش تاثیر تداخلی بین جفت گره های ذخیره ای دوگانه، ما از مکانیسم عایق سازی برای افزایش  مقاومت در برابر برخورد  ذرات با  انرژی بالا  به جای روش  طراحی هم بند اولیه استفاده کردیم. از طریق عایق سازی گره های خروجی و گره های مدار داخلی، لچ های Iso-DICE  می توانند  تحمل زیادی به SEU در مقایسه با طرح DICE داشته باشند. در مقایسه با طرح FERST که  دارای تحمل مشابه به SEU  می باشد، لچIso-DICE پیشنهادی می تواند بیش از ۵۰ درصد برق را کم تر از ۴۵ درصد محصول فناوری TSMC 90 nm CMOS مصرف کند. تحت مدل ۲۲ نانومتر PTM، لچIso-DICE پیشنهادی می تواند  با ۱۱ محصول تاخیر برقی ۱۱ درصدی در  مقایسه با طرح FERST که تحمل مشابه به SEU است عمل کند(طرح مدار لچ مقاوم به SEU).

دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی

ادامه مطلب

راهنمای خرید:
  • لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.

Title: A low power-delay-product and robust Isolated-DICE based SEU-tolerant latch circuit design

Abstract: 

Soft-error interference is a crucial design challenge in the advanced CMOS VLSI circuit designs. In this paper, we proposed a SEU Isolating DICE latch (Iso-DICE) design by combing the new proposed soft-error isolating technique and the inter-latching technique used in the DICE (Calin et al., 1996 [1]) design. To further enhance SEU-tolerance of DICE design, we keep the storage node pairs having the ability to recover the SEU fault occurring in each other pair but also avoid the storage node to be affected by each other. To mitigate the interference effect between dual storage node pairs, we use the isolation mechanism to resist high energy particle strikes instead of the original interlocking design method. Through isolating the output nodes and the internal circuit nodes, the Iso-DICE latch can possess more superior SEU-tolerance as compared with the DICE design (Calin et al., 1996 [1]). As compared with the FERST design (Fazeli, 2009 [2]) which performs with the same superior SEU-tolerance, the proposed IsoDICE latch consumes 50% less power with only 45% of power delay product in TSMC 90 nm CMOS technology. Under 22 nm PTM model, the proposed Iso-DICE latch can also perform with 11% power delay product saving as compared with the FERST design (Fazeli, 2009 [2]) that performs with the same superior SEU-tolerance

دیدگاهتان را بنویسید