light box
امتیاز 3.19 تاثیر و توجیه کاهش دیواره درین القا شده بر روی MOSFET 100">

نوع فایل : word
تعداد صفحات : 13
تعداد کلمات : 2200
مجله : Chin. Phys. B
انتشار : 2012
ترجمه متون داخل جداول : ترجمه شده است
درج جداول در فایل ترجمه : درج شده است
منابع داخل متن : به صورت فارسی درج شده است
کیفیت ترجمه : طلایی
دسته بندی :
برچسب ها : ، ، ، ، ، ، ، ، ، ، ،

عنوان فارسی مقاله:تاثیر و توجیه کاهش دیواره کرین القا شده بر روی MOSFET 100  نانومتری با دی الکتریک های گیت K

چکیده

اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) در MOSFET 100 نانومتری با  دی الکتریک های گیت با K بالا با استفاده از دو شبیه ساز دستگاه دو بعدی بررسی می شود. یک تئوری خازن معادل  برای توضیح مکانیسم های فیزیکی اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) مورد استفاده قرار گرفت(توجیه کاهش دیواره درین القا شده). بر اساس تئوری خازن معادل، اثرات طول کانال،  عمق اتصال،  طول هم پوشانی درین دوپ شده سبک و گیت، مواد اسپیسر  و عرض اسپیسر بر روی  کاهش دیواره درین القا شده(FIBL)  به طور کامل بررسی می شود. دی الکتریک گیت استک برای  مهار اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) ارایه شده است(توجیه کاهش دیواره درین القا شده).

دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی

Title: Carrier Statistics and Quantum Capacitance Models of Graphene Nanoscroll

Abstract: 

As a new category of quasi-one-dimensional materials, graphene nanoscroll (GNS) has captivated the researchers recently because of its exceptional electronic properties like having large carrier mobility. In addition, it is admitted that the scrolled configurations for graphene indicate larger stability concerning the energy, as opposed to their counterpart planar configurations like nanoribbon, nanotube, and bilayer graphene. By utilizing a novel analytical approach, the current paper introduces modeling of the density of state (DOS), carrier concentration, and quantum capacitance for graphene nanoscroll (suggested schematic perfect scroll-like Archimedes spiral). The DOS model was derived at first, while it was later applied to compute the carrier concentration and quantum capacitance model. Furthermore, the carrier concentration and quantum capacitance were modeled for both degenerate and nondegenerate regimes, along with examining the effect of structural parameters and chirality number on the density of state and carrier concentration. Latterly, the temperature effect on the quantum capacitance was studied too.

ثبت دیدگاه

    • دیدگاه های ارسال شده توسط شما، پس از تایید توسط تیم مدیریت در وب منتشر خواهد شد.
    • پیام هایی که حاوی تهمت یا افترا باشد منتشر نخواهد شد.
    • پیام هایی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط باشد منتشر نخواهد شد.

برای ارسال دیدگاه شما باید وارد سایت شوید.

محصولات مشابه
مقاله ی مروری در خصوص فرایند زیست شناختی احیا و اصلاح خاک در مهندسی عمران
خـریـد محـصـول
بودجه بندی سرمایه ای مسئولیت پذیری اجتماعی شرکتی
خـریـد محـصـول
مقایسه کاربرد سنتی خانه‌های حیاط دار در دو شهر
خـریـد محـصـول
تأثیر شیوه های مدیریتی زنجیره تأمین سبز بر پایداری محیط زیست: کارخانه های تولید پوشاک آماده بنگلادش
خـریـد محـصـول
پیشرفت‌های حاصل شده در روشهای فرآوری مواد اومامی: یک مقاله‌ی مروری
خـریـد محـصـول
جغرافیای انگ: روش‌های تجربی برای تعیین مجازات و تاوان مکان
خـریـد محـصـول
بررسی شیوه‌های استخراج کلاژن به منظور تجزیه تحلیل ایزوتوپ‌های پایدار در تحقیقات رژیم غذایی
خـریـد محـصـول
دلبستگی والدین ، وابستگی عاشقانه بزرگسالان و کودکان و رضایت زناشویی: بررسی زمینه های فرهنگی
خـریـد محـصـول
الگوهای دلبستگی(وابستگی) والدین در مادران کودکان مبتلا به اختلال اضطراب
خـریـد محـصـول
استراتژی‌های تمایز و عملکرد بانک‌های پول سپرده گذاری در بندر هارکورت، نیجریه
خـریـد محـصـول
ثبت اختراع یا انتشار مقاله

ثبت اختراع یا انتشار مقاله کدام اول باید انجام شود؟ پژوهشگران منابع مالی و غیر مالی بسیاری را صرف انجام تحقیقات و پژوهش ها میکنند و امکان دارد تعدادی از آنها تبدیل به دستاوردها و فناوری های نو گردد. محققان این نتایج را به سرعت در مقالات علمی ملی و بین المللی منتشر و به آن افتخار میکنند. اما باید مد نظر داشت، چنانچه دستاورد پژوهشی امکان تبدیل شدن به یک محصول یا فرآیند قابل استفاده و تولید در صنعت را داشته باشد، هر گونه انتشار عمومی از جمله مقاله باعث از دست رفتن شرط جدید بودن و در نتیجه عدم امکان ثبت فناوری به عنوان اختراع خواهد شد.

در نتیجه محققان و پژوهشگران باید پیش از هرگونه افشاء عمومی آن دسته از نتایج تحقیقاتی که شرایط ثبت اختراع را دارا می باشد به صورت اظهارنامه اختراع در اداره مربوطه ثبت و سپس نسبت به انتشار آنها اقدام کنند. امکان دارد مراحل ثبت اختراع چندین ماه به طول بیانجامد که انتشار مقاله (و مانند آن) پس از تاریخ ثبت اظهارنامه اختراع مشکلی را در فرآیند ثبت اختراع بوجود نمی آورد.

از آنجا که برخی دستاورد ها مانند روشهای تشخیص بیماری و نوآوری های مدیریتی قابلیت ثبت اختراع بین المللی و ملی را ندارند، محققان بدون نگرانی میتوانند انتشار در مقالات داخلی و خارجی را به عنوان اولین گزینه جهت کسب افتخار دست یابی به این قبیل پژوهشها انتخاب کنند.

در اولین مرحله از شروع یک تحقیق جدید نیاز است منابع مختلفی جستجو شود تا جدید بودن ایده مورد بررسی قرار گیرد. یکی از بهترین منابع جهت جستجو، جستجوی اختراع های ثبت شده است. پایگاه های جستجوی پتنت به محقق کمک میکند پیشینه تحقیق خود را مورد بررسی قرار دهد تا مطمئن شود کار تکراری انجام نمیدهد. لیست اختراعات ثبت شده در ایران در طبقه بندی بین المللی A که شامل اختراعات حوزه نیاز ها بشری شامل کشاوری، مواد غذایی، کالاهای خانگی یا شخصی، بهداشت و سرگرمی را میتوانید در پایگاه جستجوی دارایی های فکریدارکوب مشاهده کنید.
برو بالا