light box
امتیاز 3.19 تاثیر و توجیه کاهش دیواره درین القا شده بر روی MOSFET 100">

نوع فایل : word
تعداد صفحات : 13
تعداد کلمات : 2200
مجله : Chin. Phys. B
انتشار : 2012
ترجمه متون داخل جداول : ترجمه شده است
درج جداول در فایل ترجمه : درج شده است
منابع داخل متن : به صورت فارسی درج شده است
کیفیت ترجمه : طلایی
دسته بندی :
برچسب ها : ، ، ، ، ، ، ، ، ، ، ،

عنوان فارسی مقاله:تاثیر و توجیه کاهش دیواره کرین القا شده بر روی MOSFET 100  نانومتری با دی الکتریک های گیت K

چکیده

اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) در MOSFET 100 نانومتری با  دی الکتریک های گیت با K بالا با استفاده از دو شبیه ساز دستگاه دو بعدی بررسی می شود. یک تئوری خازن معادل  برای توضیح مکانیسم های فیزیکی اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) مورد استفاده قرار گرفت(توجیه کاهش دیواره درین القا شده). بر اساس تئوری خازن معادل، اثرات طول کانال،  عمق اتصال،  طول هم پوشانی درین دوپ شده سبک و گیت، مواد اسپیسر  و عرض اسپیسر بر روی  کاهش دیواره درین القا شده(FIBL)  به طور کامل بررسی می شود. دی الکتریک گیت استک برای  مهار اثر کاهش دیواره درین القا شده(FIBL) ارایه شده است(توجیه کاهش دیواره درین القا شده).

دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی

Title: Carrier Statistics and Quantum Capacitance Models of Graphene Nanoscroll

Abstract: 

As a new category of quasi-one-dimensional materials, graphene nanoscroll (GNS) has captivated the researchers recently because of its exceptional electronic properties like having large carrier mobility. In addition, it is admitted that the scrolled configurations for graphene indicate larger stability concerning the energy, as opposed to their counterpart planar configurations like nanoribbon, nanotube, and bilayer graphene. By utilizing a novel analytical approach, the current paper introduces modeling of the density of state (DOS), carrier concentration, and quantum capacitance for graphene nanoscroll (suggested schematic perfect scroll-like Archimedes spiral). The DOS model was derived at first, while it was later applied to compute the carrier concentration and quantum capacitance model. Furthermore, the carrier concentration and quantum capacitance were modeled for both degenerate and nondegenerate regimes, along with examining the effect of structural parameters and chirality number on the density of state and carrier concentration. Latterly, the temperature effect on the quantum capacitance was studied too.

ثبت دیدگاه

    • دیدگاه های ارسال شده توسط شما، پس از تایید توسط تیم مدیریت در وب منتشر خواهد شد.
    • پیام هایی که حاوی تهمت یا افترا باشد منتشر نخواهد شد.
    • پیام هایی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط باشد منتشر نخواهد شد.

برای ارسال دیدگاه شما باید وارد سایت شوید.

محصولات مشابه
قیمت‌های مسکن و ریسک اعتبار: شواهدی از ایالات متحده
خـریـد محـصـول
نقش یادگیری مشارکتی در بهبود مهارت‌های ارتباطات کلامی دانشجویان یادگیرنده EFL
خـریـد محـصـول
شکستن مقاومت میزبان توسط نیای تکاملی مستقل ویروس رگبرگ زرد نکروتیک چغندر قند
خـریـد محـصـول
واکنش پروسکایت ها به عنوان مبدل‌های خودرو
خـریـد محـصـول
ویژگی‌های انتقال منفذی و انتشار مؤثر مونولیت سرامیکی برای مبدل کاتالیزوری خودرو
خـریـد محـصـول
مبدل ترافیکی و کاتالیستی- آلایندگی اتمسفری مربوطه در منطقه شهری ریو دوژانیرو
خـریـد محـصـول
مکانیسم بازیابی فلزات گروه پلاتینوم از مبدل‌های کاتالیستی در سیستم‌های استفاده شده در اگزوز
خـریـد محـصـول
مطالعه تفضیلی اکسایش کاتالییستی HCHO و co در کاتالیزور Mn0.75Co2.25O4
خـریـد محـصـول
رفتار سه سویه فازهای ترکیبی و جداگانه پلاتینوم، پالادیوم و رادیوم در ترکیب گازی کامل
خـریـد محـصـول
مطالعه در مقیاس بنچ گاز مصنوعی یک مبدل کاتالیزوری ۴ راهی: اکسایش کاتالیزوری
خـریـد محـصـول
ثبت اختراع یا انتشار مقاله

ثبت اختراع یا انتشار مقاله کدام اول باید انجام شود؟ پژوهشگران منابع مالی و غیر مالی بسیاری را صرف انجام تحقیقات و پژوهش ها میکنند و امکان دارد تعدادی از آنها تبدیل به دستاوردها و فناوری های نو گردد. محققان این نتایج را به سرعت در مقالات علمی ملی و بین المللی منتشر و به آن افتخار میکنند. اما باید مد نظر داشت، چنانچه دستاورد پژوهشی امکان تبدیل شدن به یک محصول یا فرآیند قابل استفاده و تولید در صنعت را داشته باشد، هر گونه انتشار عمومی از جمله مقاله باعث از دست رفتن شرط جدید بودن و در نتیجه عدم امکان ثبت فناوری به عنوان اختراع خواهد شد.

در نتیجه محققان و پژوهشگران باید پیش از هرگونه افشاء عمومی آن دسته از نتایج تحقیقاتی که شرایط ثبت اختراع را دارا می باشد به صورت اظهارنامه اختراع در اداره مربوطه ثبت و سپس نسبت به انتشار آنها اقدام کنند. امکان دارد مراحل ثبت اختراع چندین ماه به طول بیانجامد که انتشار مقاله (و مانند آن) پس از تاریخ ثبت اظهارنامه اختراع مشکلی را در فرآیند ثبت اختراع بوجود نمی آورد.

از آنجا که برخی دستاورد ها مانند روشهای تشخیص بیماری و نوآوری های مدیریتی قابلیت ثبت اختراع بین المللی و ملی را ندارند، محققان بدون نگرانی میتوانند انتشار در مقالات داخلی و خارجی را به عنوان اولین گزینه جهت کسب افتخار دست یابی به این قبیل پژوهشها انتخاب کنند.

برو بالا